10.13911/j.cnki.1004-3365.190495
降低有源区颗粒状缺陷密度的晶圆倒角优化工艺
基于28 nm先进工艺平台,研究了有源区工艺中大颗粒状缺陷(LPD)的产生机理及优化方案.研究结果表明,LPD的产生与晶圆边缘倒角形状相关,较短的倒角导致晶圆在CVD工艺中产生背面划伤.划伤产生的颗粒在气体作用下浮到晶圆表面,经过后续工艺步骤后,在有源区硬掩膜氧化层表面形成LPD.提出了改善晶圆边缘倒角形状和嵌入NANO喷洒工艺步骤的优化方案,消除了LPD,提高了产品的合格率.
晶圆倒角、颗粒状缺陷、有源区、NANO喷洒
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
航空科学基金资助项目201743X2002
2020-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
579-583,588
