10.13911/j.cnki.1004-3365.190532
一种基于FVF结构的快瞬态响应LDO设计
提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电.该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成.采用电容耦合方式感知负载变化,进一步增强瞬态响应.电路采用UMC 55 nm工艺设计实现,使用Spectre软件进行了仿真验证.仿真结果表明,当负载电流以10 ps的跳变边沿在0~10 mA范围变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为109 mV、153 mV.在输入电压2~3.6 V范围内,线性调整率和负载调整率分别为2.6 mV·V-1和0.5 mV· mA-1.
无片外电容LDO、FVF、快瞬态响应、宽电源电压范围、MCU
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国家电网科技项目546816190018
2020-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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