10.13911/j.cnki.1004-3365.190533
一种0.15 μm GaAs pHEMT高效率功率放大器
基于0.15 μm GaAs(D-Mode)pHEMT工艺,采用多级级联的方式,设计了一种中心频率为2.4 GHz的高效率功率放大器.采用两级级联放大结构,驱动级采用共源结构,提高了输出功率和线性度.功率级采用自偏置技术共源共栅结构,增益和效率得到提升.工作模式分别为A类和AB类.版图面积为1.45 mm2.仿真结果表明,在驱动级电路工作于5V、功率级电路工作于10V、频率为2.4 GHz的条件下,1 dB压缩点功率为31.99 dBm,最大输出功率为32.01 dBm,小信号增益为30.51 dB,功率附加效率为40.74％.输入功率为1.48 dBm时,在1.94～2.82 GHz频带内,输出功率为30.29～32.07 dBm,功率附加效率为30％～41.9％,小信号增益峰值为31.97 dB,3 dB带宽为880 MHz.
功率放大器、最大输出功率、自偏置技术、增益峰值
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TN722.7+5(基本电子电路)
国家自然科学基金重点项目61871161
2020-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
499-502,508
