10.13911/j.cnki.1004-3365.190032
氮化镓基高电子迁移率晶体管Kink效应研究
研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生 Kink效应的物理机制,并进行了实验测试.测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描的 Kink效应减弱.当第一次扫描、漏极电压较小时,扩散进入耗尽区的电子被浅能级缺陷态捕获,第二次扫描的 Kink效应增强.在开态下,增大反向栅极电压,可减小沟道电子浓度,进而减小电子捕获效应,Kink效应减弱.在半开态和闭态下,Kink效应不显著.最终得出,GaN缓冲层内类施主型缺陷态对沟道电子的捕获和热电子辅助去捕获,是 Kink效应发生的主要原因.
氮化镓器件、高电子迁移率晶体管、Kink效应、热电子
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TN304.2+3(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61504050,11604124,51607022
2020-03-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
858-861,867