10.13911/j.cnki.1004-3365.190001
55nm SONOS闪存单元的1/f噪声特性研究
基于 55 nm ULP CMOS工艺来制备 SONOS闪存单元,并通过 1/f噪声测试等方式对测试单元的器件特性进行表征.基于 1/f噪声表征和转移特性,分析了编程态和擦除态下SONOS闪存单元内部缺陷水平的变化规律与机制.针对 1/f噪声与亚阈值特性的缺陷水平出现矛盾的现象,引入 NBTI中的双阶段模型进行阐述,进一步分析 1/f噪声测试环节对 SONOS器件的影响.
1/f噪声、转移特性、缺陷、双阶段模型
49
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金重点项目616340084
2020-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
852-857
