10.13911/j.cnki.1004-3365.180538
一种微晶 SOI的制作及电荷存储性能研究
运用高温熔凝工艺制作了一种 Si-(Si02-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶 SOI.实验结果显示,该 SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间层为微晶结构,具有良好的绝缘、介电性能;恒压正负电晕充电可以在中间绝缘层建立无源空间电场,获得与栅压相近的表面电位;热剌激放电曲线显示,电流峰位于 T=513 K附近且呈正负对称,捕获电荷的能阱深度约为1.22eV.这表明该微晶 SOI是一种具有电荷存储能力的新型 SOI复合材料.
绝缘体上硅、复合材料、介电、电荷存储、热剌激放电
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TN304(半导体技术)
2020-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
847-851,857
