10.13911/j.cnki.1004-3365.180534
总剂量辐射中偏压对功率管的影晌研究
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响.根据辐照过程中 SiO2 内部和 Si-SiO2界面处感生的陷阱电荷的积累情况,推测出较恶劣的偏压条件.将 40 V耐压的 NLDMOS和 5 V耐压的NMOS功率管在 0.35μm商用 BCD工艺下进行了流片,并在不同偏压条件下进行了 Co60总剂量辐照实验,对总剂量辐照中的偏压效应进行了测试验证.实验结果证实功率管在开态偏压下的辐射退化是明显.
总剂量辐射效应、偏压、MOS功率管、退化
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TN386.1;TN433(半导体技术)
国家自然科学基金联合基金NSAF资助项目U1630117
2020-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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