10.13911/j.cnki.1004-3365.180545
用于3.3V电源静电防护的闩锁免疫 LVTSCR
传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,提出一种内嵌 P型浅阱的新型LVTSCR(EP-LVTSCR).采用 Sentaurus TCAD,对提出的器件进行建模和测试.结果表明,该EP-LVTSCR的维持电压从传统 LVTSCR 的1.52 V提升到 3.85 V,具有免疫闩锁效应的能力,可应用于 3.3 V电源的 ESD防护.
静电放电、维持电压、LVTSCR、闩锁效应、TCAD仿真
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TN342(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61874099
2020-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
838-841,846
