10.13911/j.cnki.1004-3365.190057
CMOS外延工艺下 MLSCR器件鲁棒性的研究
传统的改进型横向 SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于 ESD防护领域.但是,采用 55 nm CMOS外延工艺制作的 MLSCR器件会出现鲁棒性剧烈下降且回滞即失效的问题.对器件版图结构进行调整,并进行多组实验,验证了器件失效机理.实验结果表明,在 55 nm CMOS外延工艺下,阱的方块电阻阻值大大降低,导致主电流泄放通道难以开启,从而出现 MLSCR器件不能开启的问题.
MLSCR、静电放电、失效分析
49
TN335(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目;中央高校基本业务费资助项目;四川省平台建设资助项目
2020-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
834-837
