10.13911/j.cnki.1004-3365.180408
一种评估功率LDMOS散热特性的方法
介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法.在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试.通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数目的不断增加,归一化的寄生电阻趋近定值.基于此,提出了寄生电阻相对变化因子α的概念,用来表征功率LDMOS的散热特性.最后对测试结果进行计算得到,漂移区长度为0.5 μm、叉指宽度为33 μm、总栅宽为14.4 mm时,LDMOS的α为0.631.
功率LDMOS、TLP测试、寄生电阻
49
TN386.1(半导体技术)
2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
588-592
