10.13911/j.cnki.1004-3365.180438
功率IC芯片真空回流焊工艺缺陷研究
分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理.研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响.结果 表明,功率IC芯片上的空洞随焊膏厚度增加而减小,“9宫”钢网开口更易于保持印刷厚度的一致性.采用120 s预热时间、升温区预真空、变压力真空回流焊等措施,减少了锡溅锡珠,杜绝了芯片翻转,改善了芯片边缘空洞.
功率IC芯片、真空回流、锡溅锡珠、芯片翻转、空洞
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TN305;TN453(半导体技术)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目614280204030217
2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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574-577,582
