10.13911/j.cnki.1004-3365.180421
钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响
研究了钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响,建立了这一影响的物理模型,阐明了耐久性退化的机理.在四种不同测试条件下,对P-Flash存储器进行了编程/擦除的耐久性测试.测试结果表明,在高温且延时的条件下,器件的耐久性最差.耐久性与编程/擦除之间的延时相关,延时越长,耐久性衰减越严重.在器件编程后的延时过程中,SiO2/Si界面处被氢原子钝化的硅悬挂键发生断裂.氢原子的不稳定性导致更多的界面陷阱电荷和氧化层电荷的产生,使得阈值电压负向偏移,造成负偏压温度的不稳定.通过优化BEOL工艺,可有效改善P-Flash存储器的耐久性.
P-Flash存储器、氢原子、硅悬挂键、耐久性
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61771467;中国科学院青年创新促进基金资助项目2018153
2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
568-573
