期刊专题

10.13911/j.cnki.1004-3365.180434

高辐射通量下CdZnTe探测器的脉冲处理技术研究

引用
针对高辐射通量条件下碲锌镉(CdZnTe)辐射探测器对模拟前端输出信号应具有快速上升时间及窄脉宽的要求,研究了CdZnTe探测器中电荷灵敏前置放大器(CSA)、准高斯脉冲滤波整形放大器的原理.采用Multisim,仿真分析了CSA输出脉冲信号上升时间、衰减时间和滤波整形放大器级联输入电阻、运放反馈电容等优化参数.基于仿核精密脉冲源搭建实验平台,完成了CSA和准高斯滤波整形放大器的实验验证工作.结果 表明,CSA的输出信号上升时间为10 ns,下降时间为150 μs,准高斯脉冲脉宽达200 ns.CSA和滤波整形放大电路的输出脉冲波形与仿真结果一致,满足了高分辨率半导体能谱测量系统的要求.

CdZnTe、电荷灵敏前置放大器、上升时间、脉冲整形放大

49

TN304.2+5;TN722(半导体技术)

国家自然科学基金资助项目61604028;重庆市教委科学技术研究项目资助项目KJ1600432;西北工业大学凝固技术国家重点实验室开放课题资助项目SKLSP201742

2019-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

539-544

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

49

2019,49(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅