10.13911/j.cnki.1004-3365.180445
基于0.13μm CMOS工艺的K波段SPDT开关
基于130 nm CMOS工艺,设计了一种24 GHz工作频率的单刀双掷(SPDT)开关.该开关基于π型阻抗匹配网络,将浮体技术和堆叠晶体管结构应用于开关的并联臂、串联臂,实现了低插入损耗、高隔离度和高线性度.仿真结果表明,该SPDT开关的插入损耗S21的-1.5 dB带宽为20～26 GHz.在20～26 GHz频率范围内,输入回波损耗S11小于-18 dB,输出回波损耗S22小于17 dB,隔离度S12大于32.2 dB.在频率24.5 GHz处,S21可达-1.45 dB,输入1 dB压缩点为17.36 dBm.
单刀双掷开关、CMOS工艺、浮体技术、堆叠晶体管
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61774113,61574102,61404094;中央高校基本科研资助项目2042014kf0238;中央高校基本科研业务费专项重大培育项目资金资助项目2042017gf0052;中国博士后科学基金资助项目2012T50688
2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
487-490,496
