10.13911/j.cnki.1004-3365.190043
一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能.基于标准0.35 μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计.辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV· cm2/mg,满足宇航电子系统的应用要求.
辐射加固、总剂量辐射、单粒子锁定、A/D转换器
49
TN79+2;TN432(基本电子电路)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目6142802010702
2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
447-451
