10.13911/j.cnki.1004-3365.180315
一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅减小.仿真结果表明,与传统结构相比,新型LIGBT的反向击穿电压提高了18.2％,为578 V,而HVI区域面积减小了60.8％.
SOI-LIGBT、高压互连线、双沟槽、击穿电压
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TN322+.8(半导体技术)
江苏省自然科学基金资助项目BK20130021
2019-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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