10.13911/j.cnki.1004-3365.180327
24～30GHz高精度低附加相移数控衰减器
基于0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种5位高精度低附加相移数控衰减器.该衰减器的衰减动态范围为15.5 dB,步进为0.5 dB.采用了T型衰减结构和SPDT型衰减结构的衰减网络.采用了悬浮栅和悬浮衬底,提高了衰减精度,减小了插入损耗.采用了相位补偿网络,有效降低了衰减器的附加相移.测试结果表明,在24～30 GHz频带范围内,衰减步进为0.5 dB,插入损耗小于8 dB,衰减误差均方根(RMS)小于0.45 dB,附加相移小于±5°.芯片尺寸为1.2 mm×0.3 mm.
衰减器、高精度、低附加相移
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
重庆市重点产业共性技术创新项目CSTC2017ZDCY-ZDYFX0028
2019-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
356-359,365
