10.13911/j.cnki.1004-3365.180337
一种12位2GS/s BiCMOS采样保持电路
基于130 nm BiCMOS工艺,设计了一种12位高速采样保持电路,对电路的主要性能进 行了分析.电路采用差分结构,采样开关是开环交换射极跟随开关.在输入信号范围内,缓冲器的线性度较高.采用Cadence Spectre软件进行仿真.结果 表明,当采样率为2 GS/s,模拟输入差分信号为992 MHz频率、0.5Vpp幅度的正弦波时,SFDR达75.11 dB,SNDR达73.82 dB,电路功耗仅为98mW,满足了12位采样保持的要求.
采样保持电路、SiGe BiCMOS工艺、射极跟随开关
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TN79+2(基本电子电路)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目614280201010101
2019-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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