10.13911/j.cnki.1004-3365.180300
增强型AlGaN/GaN/AlGaN双异质结槽栅HEMT研究
为了在获得高击穿电压的同时实现增强型器件,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结HEMT进行了栅槽刻蚀,得到阈值电压为0.6V的增强型HEMT.对器件特性的变化机理进行了分析,发现刻蚀引入的陷阱态使器件的击穿性能降低.采用变频电导法,定量研究了反应离子刻蚀在AlGaN/GaN/AlGaN双异质结HEMT中引入的陷阱态.研究表明,刻蚀工艺在双异质结HEMT中引入了大量的浅能级陷阱,这些陷阱的能级主要分布在0.36～0.40 eV.
增强型、双异质结槽栅HEMT、击穿特性、陷阱态、变频电导法
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61404014,61574023;中国博士后科学基金资助项目2015M582610
2019-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
256-261
