10.13911/j.cnki.1004-3365.180266
一种130～150GHz毫米波低噪声放大器
基于65 nm CMOS工艺,设计了一种工作于130～150 GHz的毫米波低噪声放大器(LNA),它采用五级级联共源组态的拓扑结构.第一级电路采用最小噪声匹配,保证了放大器的噪声性能.后级电路采用最大增益匹配,保证电路具有较高的增益.对无源器件进行了结构优化,电感的品质因数在140 GHz处达到15以上.仿真结果表明,在1.2V电源电压、0.45V栅极偏置电压下,该LNA的直流功耗为54.1 mW.在130～150 GHz频带内,噪声系数小于7.5 dB,增益大于18 dB.芯片尺寸为0.5 mm×0.3 mm.该LNA有望被应用于D波段接收系统中.
低噪声放大器、毫米波、共源、品质因数、匹配
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TN432;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金重点项目F010608
2019-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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