10.13911/j.cnki.1004-3365.180254
一种低工艺偏差的低功耗基准电流源
基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源.利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺偏差下较稳定的特性,获得了在不同工艺角下具有良好温度特性的基准电流,减小了工艺偏差对基准电流温度系数的影响.采用0.18 μmCMOS工艺对电路进行设计与仿真.结果 表明,该基准电流源的工作电压范围为1.1～4.0V.在1.2V电源电压下,基准电流为23.06 nA.在-40℃～85℃范围内,温度系数为9×10-5/℃,功耗为50 nW,离散系数(σ/μ)为±3.4％.
基准电流源、低功耗、阀值电压、工艺偏差
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61704022
2019-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
168-172
