10.13911/j.cnki.1004-3365.180073
一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS
提出了一种具有超低比导通电阻的新型优化横向变掺杂双通道p-LDMOS.与传统结构相比,该结构在器件表面增加了一个自驱动的扩展栅.该扩展栅不仅显著提高了导通时空穴的导电能力,还改善了阻断时器件表面的电场分布.因此,新结构的击穿电压(VB)与比导通电阻(Ron,sp)之间的折中关系得到显著改善.仿真结果显示,击穿电压为328 V的新结构的Ron,sp为75mΩ·cm2,仅为同条件下传统结构的48.8％,并且可与同工艺下制作的323 V n-LDMOS的Ron,sp(84 mΩ·cm2)相媲美.这为智能功率集成电路提供了更多更好的选择.
积累层、双通道、高侧、p-LDMOS、比导通电阻
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TN386.1(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目51237001;中国青年自然科学基金资助项目61604030;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目KFJJ201612
2019-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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146-152
