10.13911/j.cnki.1004-3365.180089
利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS
提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS.当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压.当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器件的导电能力,从而降低器件的比导通电阻.数值仿真结果表明,该LDMOS的比导通电阻从传统结构的371 mΩ· cm2降低到60.9 mΩ·cm2.相比于没有场环的传统结构,该LDMOS的耐压从660 V提高到765 V.
积累层LDMOS、P型场限环、多晶硅二极管
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目51237001
2019-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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