10.13911/j.cnki.1004-3365.180297
一种电介质/P-AlGaN叠栅增强型HEMT
为提高器件的阈值电压,提出了一种带电介质/P-AlGaN叠栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件阈值电压提高的机理,优化了电介质的介电常数和厚度.结果表明,该增强型AlGaN/GaN HEMT的阈值电压高达8.6V.这个很高的阈值电压值能满足功率电子系统的安全性需要.
AlGaN/GaN HEMT、增强型、叠栅结构、阈值电压
49
TN386.3(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61404014,61574023;国家重点研发计划资助项目2016YFB0400105
2019-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
119-124