10.13911/j.cnki.1004-3365.180162
一种用于3D NAND存储器的高压生成电路
设计了一种应用于3D NAND存储器的高压生成电路,包括振荡器、时钟生成电路、新型电荷泵及反馈环路.与传统的电荷泵相比,新型电荷泵消除了阈值电压损失与衬底偏置效应,提高了升压效率.通过控制时钟的电压幅度来调节输出电压,减小了输出电压纹波.电路在0.32μm CMOS工艺模型下进行了仿真验证.结果表明,在3.3V工作电压下,该电路稳定输出15 V的高压,上升时间为3.4μs,纹波大小为82 mV,最大升压效率可达到76％.该高压生成电路在各项性能指标之间取得了平衡,其突出的综合性能能满足3D NAND存储器的工作需求.
3D NAND存储器、振荡器、时钟生成电路、新型电荷泵
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TN432;TP333.5(微电子学、集成电路（IC）)
中国科学院科技服务网络计划STS计划资助项目KFJ-STS-ZDTP-045
2019-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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