10.13911/j.cnki.1004-3365.180196
基于SiGe BiCMOS工艺的90～100GHz单刀双掷开关
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100 GHz的差分单刀双掷开关.首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构.其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号.采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真.结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1 dB,共模插入损耗为-7.4 dB,隔离度大于-22 dB,输入反射系数Su＜-12 dB,输出反射系数S22＜-10dB.芯片尺寸为570 Om×140 Om.
SiGe、BiCMOS、共模抑制、单刀双掷开关
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目2016YFE0100500
2019-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
88-92
