10.13911/j.cnki.1004-3365.180169
一种2～20GHz超宽带高效率功率放大器
基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种2～20 GHz的超宽带高效率功率放大器.该功率放大器采用非均匀分布式结构,可以为各级晶体管提供最佳负载阻抗.引入了漏极并联电容,以平衡输入与输出传输线的相速度,提高了输出功率和效率.在栅极引入了RC并联电路,能提高输入传输线的截止频率,保证电路稳定.仿真结果表明,在2～20 GHz的频带范围内,该功率放大器的增益为(10.7±1.2)dB,输入回波损耗小于-10 dB,饱和输出功率为28.8～29.7dBm,功率附加效率(PAE)为33％～47％.
功率放大器、超宽带、功率附加效率、分布式放大器
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TN722.7+5(基本电子电路)
国家科技重大专项资助项目2016ZX03002007-002
2019-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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