10.13911/j.cnki.1004-3365.180054
绝缘体上硅FinFET亚阈值摆幅研究
在新型多栅器件栅电容模型的研究中,量子电容随着沟道长度及栅氧化层厚度的不断减小而变得越发不可忽略.推导了基于绝缘体上硅(SOI)工艺技术的鳍式场效应晶体管(FinFET)的量子电容,并通过构建囊括量子电容的内部电容网络模型推导了亚阈值摆幅.采用Matlab软件,仿真验证了量子电容对亚闽值摆幅的影响.提出了亚阈值摆幅的优化方法,为如何选取合适的器件尺寸来优化某个特定设计目标的性能提供了指导.
绝缘体上硅鳍式场效应晶体管、量子电容、亚阈值摆幅、电容网络模型
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61604014;北京市优秀人才培养青年骨干项目2014000020124G103
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
820-824,829
