10.13911/j.cnki.1004-3365.180007
一种高阶温度补偿的带隙基准电压源
基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源.采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的PNP管,增加了高温区域曲率补偿电路和低温区域温度分段补偿电路.该带隙基准电压源获得了低温漂的性能.仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,该带隙基准电压源的温度系数达到1.997×10-6/℃,在频率为1 Hz、10Hz、100Hz、1 kHz、100 kHz时,分别获得了-77.84 dB、-77.84 dB、-77.83 dB、-77.42 dB、-48.05 dB的电源抑制比.
带隙基准电压源、高阶温度补偿、电源抑制比
48
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
重庆市自然科学基金资助项目CSTC2016JCYJA0347;模拟集成电路重点实验室基金资助项目6142802011503;重庆市重点产业共性关键技术创新专项项目cstc2016zdcy-ztzx0038,cstc2017zdcy-zdyf0166
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
765-768,773
