10.13911/j.cnki.1004-3365.180026
S波段GaN MMIC功率放大器的设计
针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构.基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段MMIC功率放大器.采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程.仿真结果表明,在2～4 GHz工作频率范围内,输出功率大于38 dBm,功率附加效率为29％～48.8％,功率增益为19.0～20.4 dB,S11小于-7.7 dB,S22小于-9.2 dB.芯片尺寸为3 mm×1.7mm.该功率放大器具有较高的实用价值.
宽带、低Q值、功率放大器、阻抗匹配
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TN722.7+5(基本电子电路)
国家自然科学基金资助项目61401143
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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