10.13911/j.cnki.1004-3365.180227
衬底电压自举结构的10位120MS/s SAR ADC
基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术.在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了动态比较器输入管的跨导,解决了动态比较器的速度与噪声折中的难题.基于65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120MS/s SAR ADC.在1V电源电压下,功耗为1.2 mW,信号噪声失真比SNDR＞ 55 dB,无杂散动态范围SFDR＞ 68 dB,在奈奎斯特采样情况下,优值(FoM)为22 fJ/(conv· step).
衬底电压自举、高线性低阻抗开关、高速低噪声比较器
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TN79+2(基本电子电路)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目0C09YJTJ1603
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
722-727
