10.13911/j.cnki.1004-3365.170534
CMP工艺对Co/Cu去除速率及速率选择比的影响研究
化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3％体积百分比的FA/O型螯合剂、3％体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5％ SiO2.首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率及选择比的作用机理.然后采用4因素、3水平的正交试验方法对抛光工艺进行优化实验,得到了较佳的工艺参数.在抛光压力为13.79 kPa、抛光头/抛光盘转速为87/93 r/min、抛光液流速为300 mL/min的条件下,Co/Cu的去除速率选择比为3.26,Co和Cu的粗糙度分别为2.01、1.64 nm.
钴、铜、化学机械抛光工艺、正交试验、去除速率、速率选择比
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TN350.2(半导体技术)
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目2016ZX02301003-004-007;河北省青年自然科学基金资助项目F2015202267;河北省高等学校科学技术研究重点项目ZD2016123
2018-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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