10.13911/j.cnki.1004-3365.170547
一种具有载流子存储层的500V高速SOI-LIGBT
为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI-LIGBT结构.采用二维仿真软件MEDICI,对器件P-top区的剂量、载流子存储层的长度、掺杂浓度等参数进行优化设计.结果表明,SOI-LIGBT的击穿电压为553 V,正向压降为1.73V.关断时,引入的PMOS管可以阻止LIGBT阳极向漂移区注入空穴,使器件的关断时间下降到13 ns,相比传统结构下降了87.6％.
SOI-LIGBT、击穿电压、正向压降、关断时间
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TN322+.8(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目51237001
2018-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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