10.13911/j.cnki.1004-3365.170551
一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层.利用P-BOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的.采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真.结果表明,该NJFET的击穿电压达104V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6％.
N沟道结型场效应晶体管、降低表面电场、击穿电压、BiCMOS
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61531016;四川省科技支撑计划重点资助项目2016GZ0059,2017GZ0110
2018-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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