10.13911/j.cnki.1004-3365.170299
不同抛光参数对蓝宝石衬底CMP质量的影响
蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)质量直接影响器件的成品率和可靠性.抛光液和抛光工艺参数是影响CMP质量的决定性因素.为了得到更优的抛光液利用率以及更好的抛光效果,系统研究了自主研制的抛光液pH值、抛光压力、转速和流量等抛光参数对c面蓝宝石衬底化学机械抛光去除速率和表面粗糙度的影响.结果表明,去除速率随pH值、抛光压力、转速和流量的升高先增加后减小;表面粗糙度随pH值、抛光压力、转速的升高先减小后增加,随流量升高而慢慢降低.通过实验进行优化,当pH值为10.5、抛光压力为27.6 kPa、抛光头转速为40 r/min、抛光盘转速为45 r/min、流量为160 mL/min时,去除速率能稳定在2.69 μm/h,表面粗糙度为0.184 nm.此规律对指导工业生产具有重要的意义.
蓝宝石衬底、化学机械抛光、去除速率、表面粗糙度
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TN350.2(半导体技术)
国家科技重大专项资助项目2016ZX02301003-004-007;河北省专业学位教学案例基金资助项目KCJSZ2017008;天津市自然科学基金资助项目16JCYBJC16100
2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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