10.13911/j.cnki.1004-3365.170176
一种高精度低输出电压的带隙基准
分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准.在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构.分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果.针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构.将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18 μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中.测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900 mV.在-40℃～125℃温度范围内,温度系数低至3×10-6/℃.低频时,电源抑制比达-109 dB.
带隙基准源、高阶温度补偿、分段二次补偿、电源抑制比、熔丝调节
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
江苏省教育厅项目“江苏高校品牌专业建设工程一期工程微电子技术”PPZY2015B190;江苏省教育厅“青蓝工程”科技创新团队资助项目
2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
167-172
