10.13911/j.cnki.1004-3365.170162
系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案
提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能.该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容.虽然集成的芯片引脚均可满足2 000 V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600 V的ESD冲击.在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600V提升至2 500V.片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中.
ESD保护、片上和板级协同设计、寄生效应、系统级封装
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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