10.13911/j.cnki.1004-3365.170074
硅纳米线的制备与热氧化处理
采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理.制备的硅纳米线的线径减小.研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响.利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后形成了长度为100μm、线径为100 nm的排列整齐的硅纳米线.在温度为400℃、时间为20 min的热氧化处理后,硅纳米线的线径由100 nm减小至50 nm.这表明,通过热氧化处理后的硅纳米线具有更小的线径.
金属催化化学腐蚀法、硅纳米线、热氧化处理
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TN304.1+2(半导体技术)
河南省基础前沿项目152300410023
2018-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
131-134,140
