10.13911/j.cnki.1004-3365.170135
一种用于ESD保护的双向SCR特性研究
基于0.35 μm CMOS混合信号工艺,实现了一种用于ESD保护的MDDSCR器件.通过堆叠MDDSCR单元来调整维持电压,结合TLP测试结果,说明了关键尺寸和不同的衬底连接方式对器件特性的影响.堆叠DDSCR正向触发电压(Vt1)和维持电压(VH)随着堆叠器件数量的增加而线性增加,但因为存在额外寄生通路,负向Vt1和VH分别维持在20 V和6V左右.该器件可实现6 kV以上HBM ESD保护能力,广泛应用于汽车电子、无线基站、工业控制等电源或者信号端的双向ESD保护.
ESD、堆叠双向SCR、维持电压
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
四川省科技支撑项目2016GZ0115
2018-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
43-47,52
