10.13911/j.cnki.1004-3365.170168
一种新颖的低温漂高电源抑制比带隙基准源
介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源.利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路.采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比.结果表明,该带隙基准源在-40℃～120℃内的温度系数为2.83×10-6/℃,在低频、100 kHz、1 MHz处的电源抑制比分别为-127、-98、-67 dB.最低工作电压为1.8V,在1.8～3 V电源电压范围内的线性调整率为4×10-5/V,功耗为57μW.
指数曲率补偿、预调整器、电源抑制比
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2018-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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