PMOS管工艺参数对反相器SET效应的影响
研究了体硅CMOS工艺下数字集成电路的抗辐照特性.利用Synopsys公司的三维半导体器件模拟软件Sentaurus,对数字集成电路中的反相器电路进行单粒子瞬态(SET)效应仿真,分析PMOS管的各种工艺参数对反相器SET效应产生的脉冲电压的影响.研究结果表明,通过降低PMOS管的栅氧层厚度、n阱掺杂浓度、p+深阱掺杂浓度以及提高衬底浓度,可以有效地减小反相器SET脉冲电压的峰值和脉冲宽度.该研究结果对抗辐照数字集成电路设计具有一定的指导作用.
工艺参数、单粒子效应、抗辐照、脉冲电压
47
TN432;TN406(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金资助项目61674002
2018-01-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
842-846