基于复合介质层材料的硅通孔热结构耦合分析
硅通孔(TSV)技术是三维封装的关键技术,对三维IC的可靠性起决定性作用.基于ANSYSWorkbench平台,通过有限元仿真对退火阶段的TSV模型进行热结构耦合分析.比较了二氧化硅(SiO2)介质层与苯并环丁烯(BCB)介质层在不同负载下的热应力,研究了不同填充材料、介质层厚度、通孔直径、深宽比条件下的热应力分布和热应力影响,分析了碳纳米管掺杂的苯并环丁烯(BCB-CNT)介质层的热应力.结果表明,该复合介质层能有效降低热应力,提高了三维IC的可靠性.
硅通孔、有限元、热结构耦合分析、热应力
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TN306(半导体技术)
2018-01-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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