一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵
针对相变存储器小片内电容和低功耗的应用要求,在分析传统升压式电容电荷泵局限性的基础上,提出了一种应用于相变存储单元的嵌入式片内电容电荷泵.该电容电荷泵无需电感器件,存储单元不会受到高电磁干扰,采用了特殊的互补型电荷泵升压方法,具有电源效率高、瞬态响应速度快、面积小、电容可片内集成等优点.在SMIC 40 nm标准CMOS工艺条件下,对设计的嵌入式片内电容电荷泵进行仿真.结果表明,负载电流变化为250 mA/μs时,输出瞬态响应时间为374.2 ns,电源转换效率可达81.65％,静态电流为7.22 μA,输出能力为4 V/2.5 mA.
电荷泵、片内电容、低功耗、电源效率、瞬态响应
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
中国科学院战略性先导科技专项XDA09020402
2018-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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