一种超低温漂低功耗全CMOS基准电压源
提出了一种超低温漂、低功耗亚阈值全CMOS基准电压源.利用工作在亚阈值区的3.3V MOS管与1.8 V MOS管的栅源电压差,产生具有负温度系数的△VTH和具有正温度系数的VT,经过相互调节,得到与温度无关的基准电压.采用了共源共栅电流镜,以降低电源抑制比(PSRR)和电压调整率.基于SMIC O.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真.仿真结果表明,在-22℃～142℃温度范围内,温度系数为2.8×10-6/℃;在1.3～3.3V电源电压范围内,电压调整率为0.48％;频率为100 Hz时,PSRR为-62 dB;功耗仅为191 nW,芯片面积为0.005 mm2.
基准电压源、超低温漂、低功耗、亚阈值、共源共栅电流镜
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目11264009,61465004;广西区教育厅高校科研资助项目YB2014135;桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目YJCXS201514,2016YJCX92
2018-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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