一种带瞬态响应增强的无电容型LDO
在传统无电容型LDO的基础上,设计了一种带瞬态增强的无电容型LDO.采用频率补偿方案,有效减小所需的片上补偿电容,节约了芯片面积.采用了过冲/下冲检测电路,用于检测负载瞬间变化时输出电压的变化,通过调节功率管栅极电压,提升了LDO的瞬态响应速度.采用0.13 μm标准CMOS工艺,对设计的瞬态增强无电容型LDO进行仿真验证.结果表明,片上补偿电容为2 pF时,系统静态电流为30 μA,当负载在1μs内从1mA变化到50 mA时,输出电压过冲为88 mV,下冲为50 mV,与不带过冲/下冲检测电路的LDO相比,分别提高了56％和54％.
频率补偿、过冲电压、下冲电压、CMOS工艺
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
“十三五”装备预先研究项目31513030102-2
2018-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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