用于RFID阅读器的低噪声高电源抑制比LDO
基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO.根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析.采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比.仿真结果表明,该LDO在100 kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26 nV/Hz1/2和6.7 nV/Hz1/2,10 kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82 dB和-71.6 dB.在3.3V电源电压供电时,LDO消耗的静态电流为300 μA.
低压差线性稳压器、ESR补偿、低噪声、高电源抑制比
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61306034,61302005
2018-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
733-738
