一种SiGe BiCMOS3级级联60GHz LNA
基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60 GHz低噪声放大器.级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响.在3.3V供电电压下,60 GHz频率处的功率增益S21达到21.8 dB,噪声系数NF为6.1 dB;在58～65 GHz频段内,输入和输出反射系数S11和S2均小于-10 dB.
低噪声放大器、噪声系数、60 GHz
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61404019
2017-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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