一种全MOS型超低功耗基准电压源设计
在0.18 μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源.该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作.当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃～125℃,该基准源的温度系数为2.67×10-5/℃,电源抑制比为-45.42 dB@100 Hz,功耗为105.96 nW.
全MOS带隙基准源、超低功耗、低温度系数
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2017-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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