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一种高精度超低功耗基准电压源

引用
提出了一种超低功耗、无NT的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源.采用正负温度系数电流求和的方式来获得与温度无关的电流,再转换成基准电压;采用共源共栅电流镜来提高电源电压抑制比和电压调整率.基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,在-20℃~135℃温度范围内,温漂系数为2.97×10-5/℃;在0.9~3.3V电源电压范围内,电压调整率为0.089%;在频率为100 Hz时,电源电压抑制比为-74 dB,电路功耗仅有230 nW.

亚阈值区、高精度、高电源电压抑制比、超低功耗、低温漂

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TN432(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金资助项目11264009,61465004;广西自然科学基金资助项目2013GXNSFAA019338;桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目YJCXS201514

2017-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

152-155,159

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微电子学

1004-3365

50-1090/TN

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2017,47(2)

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