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一种超宽带正交调制器片上巴伦的设计

引用
采用0.18μm GeSi BiCMOS工艺,通过调节中心抽头位置、设计八边形螺旋电感、添加屏蔽层、优化线圈外径与金属线宽等方法,设计了一种平衡性好、插入损耗小的片上巴伦.创新性地在HFSS模型中引入GSG焊盘,避免了去嵌入处理的复杂计算与计算误差.仿真结果表明:在500 MHz频率处,电路的插入损耗为3.5 dB,幅度不平衡度为0.13 dB,相位不平衡度为0.38°;在4 GHz频率处,插入损耗为1.8 dB,幅度不平衡度为1.62 dB,相位不平衡度为2.85°.对样品的S参数幅度及相位进行测试,实测结果与仿真值吻合.该巴伦可应用于500 MHz~4 GHz的超宽带正交调制器中,具有较好的应用前景.

超宽带、片上巴伦、仿真、HFSS、S参数

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TN722.3(基本电子电路)

2017-01-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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微电子学

1004-3365

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